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| 何謂LED |
發光二極體(Light Emitting Diode簡稱LED),它是一種半導体光源,LED是一種電流驅動元件，其光輸出是由通過的正向電流決定,電流從p極（陽極）流向n極（負極），LED的激發速度快過任何其他光源，包括氙氣閃光燈，它具有很短的上升時間，範圍在10ns到100ns(ns:奈米秒,10的負九次方秒)之間,目前已 普遍應用在電腦 螢幕.手機..等背光源,以及交通信號燈.顯示屏.室內及戶外照明.硬化.殺菌.通訊...等市場. |
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| LED選擇 | |||||||||
| 光源概念 | |||||||||
| 光源設計 |
LED發展史 |
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| 散熱設計 |
19世紀,偉大的 愛迪生(Thomas Alva Edison)發明了電燈,改變了人類的歷史,從此後照明就日新月益,在70年後的1960年代由愛迪生創辦的GE(美國通用電器公司)發現LED發光現像,1968年就已商業量產,初期都用在電子零件之電源顯示燈,如遙控器.開關顯示燈,80年代開始用在廣告跑馬燈之低功率光源運用,自從90年代中期,白光光源技術 由日本突破,應用更為廣範,主要技術則在於內部芯片 及螢光粉技術突破,目前市場共有兩種技術,一種是以日本發明藍寶石基底層,另一為美國發明半導體材質晶片技術,大部份之上游專利都在美日兩國,LED會發展這麼快,就是因為它具有小而巧,省電,不易壞(正常操作溫度,理論壽命可高達10萬小時),窄面單向光源...等等好處,在2015年已量產功率每瓦達 可到120Lm以上,更超過節能日光燈,(而在實驗室目前發展已有300Lm/w之 效率)使得LED更加能廣泛用於室內及戶外照明市場.而在特殊應用部分則有IR紅外線與UV紫外線LED部分,其功率效能大增,價格平民化趨勢,也已用在相關產品上. |
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| 電路安全 | |||||||||
| 維修設計 | |||||||||
| 美學設計 | |||||||||
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何謂光觸媒 |
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何謂光動力 |
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相關應用 |
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1950年：以Si為主，無發光元件。 |
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1964年：第一顆紅色III-V族 GaAsPled問世，不久橙色、黃色、黃綠色相繼產生。 |
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| 1968年：HP首先用GaAs製成黃色LED應用在手錶上。 | |||||||||
| 1970年：以ＧaAs、InP的出現，促進了光纖通訊及微波通訊的基礎。 | |||||||||
| 1972年：美國廣播公司Pankove成功研製氧化鎵藍光發光二極體。 | |||||||||
| 1981年：日本名古屋大學Akasaki教授成功研製PN接面的氧化鎵發光 二極體。 | |||||||||
| 1990年：GaN（氮化鎵）的產生，使得藍光、紫外光的誕生更促進白光LED的發展。 | |||||||||
| 1993年：第一顆藍光GaN-LED、綠光AlGaN-LED問世。 | |||||||||
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1996年：以藍光為基礎發展出白光LED。 |
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LED至1970年後才正式商品化，初期仍只充當電子設備的電源指示燈，直至近年因為發光效率大幅及環保意識提升，使得LED應用多元化，從手機、PDA、NB、TV等背光領域及逐漸延伸至一般照明市場,另外在UV或IR部份特殊應用,也擴大到民生用品。 |
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LED 材 料 簡 介 |
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氮化鎵(GaN):(三五族元素)化合 之化合物,可製作高亮度純藍光LED及純綠光LED。 |
LED Wafer 晶圓 |
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磷化鎵(GaP):(三五族元素)化合 之化合物,可發光範圍函蓋紅色至黃綠色 |
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砷化鋁鎵AlGaAs:GaAs和AlAs的混晶,適用於製造高亮度紅光 |
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鋁磷化鎵 (AlGaP) - 綠色光源 |
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磷砷化鎵 (GaAsP) - 紅色，橘紅色，黃色 等光源 |
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藍寶石 (Al2O3) (用作襯底) - 藍色 |
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Red. Green. Blue 為色彩三原素,此三種色彩理論上可混合產生任何色彩,(傳統白光是使用螢光粉所調至白光,) |
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